电子元件2026-03-05

反激开关电源在MOS管关断时，变压器初级绕组漏感存储的能量无法向次级绕组传递，初级绕组的漏感和MOS管的寄生电容产生了谐振电压波形。这个谐振电压尖峰与次级绕组反射电压、电源输入电压叠加在一起，加载到MOS管的

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虽然MOS管名义上是压控器件，只要栅极的电压超过其阈值就会控制MOS管导通。但是MOS管电压的上升受米勒效应影响，如果不能向栅极提供足够的电流，那么MOS管的开通时间就会变得很长，从而导致开通损耗很大。更进一步地

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当MOS管关断之后，在DCM工作条件下的Vds电压变化展示如下图所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是开关电源的输入电压，而Vor就是反射电压。

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电路拓扑式建模与数学建模 Q 在讨论逆变器模型之前，我们需要先明确一个问题，什么是电路拓扑式建模（简称拓扑建模）和数学建模？

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【摘要】 在某单板上，由于CPU芯片GMII接口的电源上只加了磁珠滤波，引起的故障：在网口通信时，当通信包的内容为低速码型（全0全1）时，没有丢包；当更改为伪随机包时（码型速率快），丢包严重。最终在磁珠后加电容

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【摘要】 本文以某单板在调试过程中的电源纹波过大问题，分析了开关DC/DC电源中纹波产生的原因、纹波大小的影响因素，在理论上分析了减小纹波的方法，并通过对实际电路参数的更改，降低了电源纹波值，将电源变的更加

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为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下：

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1. RISC和CISC架构有什么不同？ RISC全称是Reduced Instruction Set Computer。 CISC全称是Complex Instruction Set Computer。

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随着工艺节点的不断发展（现在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越来越高，规模也越来越大，数字IC设计工程师对芯片的功耗也越来越关心了，特别是移动端的消费类电子产品，对芯片的功耗

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Layout时候层的数目，完整平面的数目，以及在板上的堆叠方式的选用等等，有时候没有将EMC的顾虑考虑进去，经谨慎的选择，以决定哪一层要走哪些信号，可以让返回电流保持在适当的信号布线旁边，因为可以比随机布线大

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  　电压源正负端接了一个电容，与电路并联，用于整流电路时，具有很好的滤波作用，当电压交变时，由于电容的充电作用，两端的电压不能突变，就保证了电压的平稳。当用于电池电源时，具有交流通路的作用，这样就

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Markus Holtkamp and Gabino Alonso 在备用电源或保持系统中，储能介质可以占总物料清单 （BOM） 成本的很大一部分，并且通常占用最多的体积。优化解决方案的关键是仔细选择组件，以满足保持时间，但不会过度设

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前面分三次对“去耦电容的有效使用方法”进行了介绍。利用电容来降低噪声是非常重要的，所以在这里总结一下。

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审核编辑：刘清

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使用Sigirty进行PDN仿真时，比较关键的一步是设置电容的S参数模型，近来有不少同学和同行朋友来要一些电容的S参数模型，S参数模型是散射（scatter）参数的简称，也叫散射参数，以标准的Touchstone文件格式表示，所以

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维持平衡的生活方式并有效识别临床前症状以实现对疾病的早期干预对维持身体健康和长寿至关重要。随着可穿戴技术的出现，通过依托个性化医疗和数字健康服务，传统医疗实践的发展进程正在迅速变革。基于皮肤接口的可

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