23.结论和给定条件相反的逻辑是()。
A：与 B：或 C：与非 D：非

24.已知放大电路中三个管脚对地的电位是(1)0V;(2)0.7V;(3)6V，则该三极管是()型。
A：NPN B：PNP C：硅管 D：锗管

25.放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是()。
A：电流正反馈 B：电流负反馈 C：电压正反馈 D：电压负反馈

26.可控硅的正向阻断是()。
A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压
C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压

27.一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=()安。
A：17.3∠-40°B：10∠-160°C：10∠80°D：17.3∠80°

28.单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是()。
A：U2 B：U2/2 C：U20.45U2

29.所有条件都具备，才有肯定的结论，这是()逻辑。
A：与非 B：或非 C：与 D：非

30.单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在()之间连续可调。
A：0~0.45U2 B：0~0.9U2 C：0~U2 D：0~2.34U2

31.已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=()A。
A：14.1∠0° B：14.1∠180° C：10∠0° D：10∠-180°

32.可控硅导通条件是()。
A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压
B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压
C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压
D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压

33.晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于()工作状态。
A：放大 B：截止 C：饱和 D：开路

34.晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为()。
A：饱和 B：截止 C：放大 D：导通

35.已知e=311sin(314t+5°)V，其相量E=()。
A：311∠5° B：220∠5° C：220∠+185° D：220∠+175°

36.戴维南定理只适用于()。
A：外部为非线性电路 B：外部为线性电路
C：内部为线性含源电路 D：内部电路为非线性含源电路

37.可控硅有()PN结组成。
A：1个 B：2个 C：3个 D：4个

38.电容器的电流I=CΔUC/Δt，当UC增大时，电容器为()。
A：充电过程并吸取电能转换为电场能
B：充电过程并吸取电场能转换为电能
C：放电过程并由电场能释放为电能
D：放电过程并由电能释放为电场能

39.晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为()型。
A：NPN B：PNP C：N D：P