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[电工基础] 采用GaN技术的充电器的优点和缺点日期：2023-05-28 11:27:57 点击：29 好评：0
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快...
[电工基础] 什么是模数转换器日期：2023-05-28 11:27:56 点击：29 好评：0
模拟数字转换器即A/D转换器，简称 ADC （ Analog to Digital Conver te r），通常是指将模拟信号转变为数字信号的电子元件，最常用的模数转换器是将一个输入电压信号转换为一个输出的...
[电工基础] 浅谈晶体管的常见基础知识日期：2023-05-28 11:27:56 点击：33 好评：0
晶体管是一种电子元件，它可以控制电流和电压，从而控制电子电路中的信号。它可以用来放大信号，改变信号的频率，或者将一个信号转换成另一个信号。晶体管的主要功能是...
[电工基础] 氮化镓技术在电源应用方面的优势日期：2023-05-28 11:27:55 点击：29 好评：0
GaN和SiC属于高带隙的第三代半导体材料，与第一代Si和第二代GaAs等前辈相比，它们在特性上具有突出优势。由于大的带隙和高的热导率，GaN器件可以在200°C以上的高温下工作，并且可...
[电工基础] 氮化镓属于无机非金属材料吗日期：2023-05-28 11:27:54 点击：29 好评：0
20世纪40年代后，传统的铝硅酸盐材料被选为无机非金属材料，与有机聚合物材料和金属材料并列为三大材料之一。无机非金属材料是由一些原始氮化合物和卤素灯泡化学品、金属氧化...
[电工基础] GaN的衬底类型及在5G通信中的应用日期：2023-05-28 11:27:54 点击：29 好评：0
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快...
[电工基础] 三极管和MOS管的区别日期：2023-05-28 11:27:54 点击：29 好评：0
我们知道三极管是一款电流放大器件。三极管分为NPN型和PNP型半导体，两者结构工作原理基本相同。三极管的结构图如图所示，三级管内部有两个PN结，分别为集电结和发射结，...
[电工基础] AIN/AIGaN/GaN MIS异质结构C-V分析日期：2023-05-28 11:27:51 点击：29 好评：0
C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200 半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。 1. C-V曲线及载流子浓度分布图1给出了肖特基栅、...
[电工基础] Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特性日期：2023-05-28 11:27:51 点击：29 好评：0
1. 器件结构与工艺通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于材料属性和生长工艺的...
[电工基础] 什么是精密整流电路？精密整流器的工作原理日期：2023-05-28 11:27:51 点击：30 好评：0
今天给大家分享的是精密整流电路。主要是以下几个方面：1、精密整流电路，2、精密整流电路分析 3、精密整流电路原理，4、精密整流电路电路公式构建，5、精密整流电路测试；...