电子元件2026-03-07

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道

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电工问答2026-03-07

随着芯片制造商寻找维持驱动电流的新方法，铁电体(Ferroelectric)重新获得关注。

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电工问答2026-03-07

随着无人机和多电飞机的发展，更高的功率和效率成了机载电机驱动器的主要研究方向之一。

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电工问答2026-03-07

　　电子发烧友网：本文主要讲述了小尺寸功率MOSFET及Schottky二极管封装在汽车电子中的应用。在这里，小编给大家稍微介绍一下，该文中主要涉及的几个概念：

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电子元件2026-03-07

平面变压器如何提升高频开关电源的性能 打开一台传统的开关电源，最显眼、体积最大的无源元件通常就是变压器。金属磁芯配上厚重的铜线绕组，让它在电路板上格外“突出”，几乎决定了电源的最小物理尺寸。然而，

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电子元件2026-03-06

需求回升 负端同步整流芯片U7710大显身手 随着环保意识的提升，在多国政府法规积极推动之下，促使电子产品对电源供应器规格要求越来越严格。电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高，整流器件

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电子元件2026-03-06

Part 01 前言 在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间，其漏源电压Vds的变化率，即漏极和源极之间电压随时间的变化速度。一般想到dv/dt，我们第一反应是高dv/dt会导致强烈的电磁干扰，影响周围的敏感电

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电子元件2026-03-06

Part 01 前言 上一篇文章我们介绍了在进行MOSFET相关的电路设计时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了解决此问题，我们提出了两种方法，一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值，另外一种是在MOSFET栅-源极之间

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电子元件2026-03-05

现代电源转换设备一般会采用开关技术，进行测量时需要特殊处理，包括使用差分探头。这是因为，与之前采用模拟技术的设备不同，这类设备不借助变压器来降低线电压，而是使用整流后线电压作为直流总线电源（图 1）。这

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电子元件2026-03-05

MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的源

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电子元件2026-03-05

MOSFET已成为最常用的三端器件，给电子电路界带来了一场革命。没有MOSFET，现在集成电路的设计似乎是不可能的。

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电子元件2026-03-05

4、Rdson是个什么东东？ Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值。在上文中我们介绍了MOSFET在导通后，Rds(ON)的值不是一成不变的，主要取决于VGS的值。Rds(ON)的值一般都是在mΩ级别，当MOSFET电

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电子元件2026-03-05

本篇主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。参数列表如下所示

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电子元件2026-03-05

引言 MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

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电子元件2026-03-05

目前，许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题，其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。

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电子元件2026-03-05

1、MOS管简介 功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱

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