MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?
电子元件2026-03-09
Part 01 前言 打开MOSFET规格书,我们会发现所有的MOSFET规格书在Maximum ratings,也就是极限电气参数中给出Avalanche energy, single pulse的值,单位是mJ,对应中文含义是单脉冲雪崩能量,那么这一参数到底
电子元件2026-03-09
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装,具有业内领先的功率密度和优越性能。
既然MOSFET栅-源阻抗非常大,为什么设计驱动MOS电路的栅极电流还要大?1200字说清楚
电子元件2026-03-09
Part 01 前言 三极管是流控型器件,通过电流控制三极管的工作区,而MOSFET与之相对是压控型器件,栅-源阻抗非常大,我们一般认为MOSFET栅-源工作电流可以忽略,那既然MOSFET是压控型器件,为什么设计MOFET驱动
MOSFET的米勒平台电压很重要,1400字教你两种方式计算出米勒平台电压值
电子元件2026-03-09
Part 01 前言 MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关过程中,由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在,漏极电压的变化会通过该电容耦合到栅极,导致栅极电压出现不希望的变化。 在MOSFET开关的过程中,特别是当漏极电压
MDD辰达半导体MDD100N03D 先进Trench工艺N沟道的大电流低内阻MOS
电子元件2026-03-09
在智能家居和电动工具领域,电机驱动的效率与可靠性直接决定了用户体验。无论是洗地机的强劲动力、扫地机器人的持久续航,还是电动工具的高效作业,都离不开一颗强大的“心脏”——MOSFET。
电子元件2026-03-09
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D7A0
ST 600-650V MDmesh DM9 超结快速恢复功率MOSFET提高效率和稳健性
电子元件2026-03-09
新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性
电子元件2026-03-09
负端5v2A同步整流芯片U7710增速增长 同步整流芯片的主要应用市场,预计未来消费将以年均38.1%的增速增长,至2026年市场达79.64亿元。虽然下游手机市场总体增量放缓,但同步整流芯片的渗透率仍在上升,增长空间巨
电子元件2026-03-09
芯片种草——LED照明驱动芯片 U6113 伴随照明需求的多样化,LED照明由于其稳定高效的特点在各类使用场景得到了广泛的发展,其中LED照明驱动芯片技术和制程的持续更新迭代成为照明产品持续发力的关键器件。
电子元件2026-03-09
适配器电源芯片U6773V推荐输出12V1A、5V2A、5V2.4A 适配器电源芯片的正确选择对于适配器来说有着至关重要的作用,关系到电源适配器的稳定性以及使用寿命,也可以减少产品的故障率。
电子元件2026-03-09
可替换OB2538的18W副边反馈电源芯片U6205D 家电产品是耐用消费品,使用寿命长生产规模大,对芯片的稳定性、可靠性以及兼容性要求较高。随着产品的批量上市,临时更换电源方案无疑会加大生产成本,错过先机。这个
电子元件2026-03-09
12v2A大电流同步整流芯片U7718 同步整流MOSFET发烫,首先要从控制MOSFET的信号去分析,主要看信号是否合理,还有是在DCM 还是在CCM发烫?同样,一颗好的芯片会决定你的同步整流的成功与否。12v2A大电流同步整流
电子元件2026-03-09
公认好用的小家电电源ic U321 经济水平的提高,大众的休闲娱乐方式也随之发生较大的改变。很多企业为了让新手玩家更好地体验养鱼的乐趣,开始推出智能鱼缸产品,能实现自动投食、恒温控制以及水质过滤等功能,
电子元件2026-03-09
交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。然而,这两项要求都挑战了硅(Si)基器件的基本极限。新兴的宽带隙碳化硅(SiC)功率器件
沟槽结构SiC MOSFET常见的类型
电子元件2026-03-09
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。但是,沟槽结构可以增加单元密度,没有JFET效应,寄生电容更小,开关速度快,开关损耗非常低;而且,通过选取合适沟道
碳化硅MOSFET在汽车动力逆变器中的优势有哪些呢?
电子元件2026-03-09
新型电子研发组件在不断发展,也随之而来的是取得的成果。公司不断尝试开发越来越多的性能设备,特点是更高的效率和更好的电气特性。碳化硅(SiC)技术具有明显的优势,主要与其电气有关电阻。使用这项技术,可以
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