电子元件2026-03-09

据钜亨网报道，全球景气去年下半年起下滑，笔电等消费性市场享受阶段红利后，需求出现滑落，导致终端库存水位高档，不过，经历3季库存调整后，品牌、供货商纷纷看到库存去化迹象，预计下半年需求可望逐步回温。

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1 历史 1947年威廉.肖克利与他人共同发明了晶体管，属于双极型晶体管（Bipolarjunction Transistor）。此外，晶体管还有另外一个分支，叫场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）,由结型场效应管（Juncti

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随着新能源汽车市场的蓬勃发展，新能源汽车的概念已经度过了市场教育期。消费者对电车的安全、性能已经有了充分的了解，但“里程焦虑”仍旧是一个硬伤。虽然充电桩在大城市密度已经有所提高，对于要出远门的人来说

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随着功率MOSFET和IGBT的出现，双极型晶体管的发展受到一定影响。但在更高电压、更大电流的应用中，随着外延层（或单晶）厚度、电阻率的的增加，MOSFET、IGBT导通压降随之大幅上升。而双极型晶体管、晶闸管及其衍生

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金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种电压控制器件，由源极、漏极、栅极和主体等端子构成，用于放大或切换电路内的电压，也广泛用于数字应用的

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前言 在电动汽车的逆变器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代传统的硅基逆变器时，SiC 解决方案将带来约 5-10% 的效率提升。这意味着更多的电力被输送到电机，而不是浪费在直流-交流电力转换过程中

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MOSFET器件是数字集成电路的最小单位，因为MOSFET的开关特性和输出曲线特性，由PMOS和NMOS组成的CMOS门电路，则为数字集成电路最基本的电路结构。而想很好地理解CMOS电路结构，必须先熟悉CMOS反相器电路及其设计和分

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开漏(open drain)(OC开集，OD开漏) 开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。

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反激式适配器同步整流芯片U7710SG 反激式充电器和适配器的同步整流芯片U7710SG是一种开关电源的同步整流电路，它集成了N通道MOSFET和驱动电路，用于DCM、QR的同步整流。同步整流能有效降低二次侧整流的功耗，提

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N沟道增强型MOSFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 1) N沟道增强型MOSFET的结构N 沟道增强型MOSFET结构的示意图如图4-2a 所示，增强型MOSFET的符号如图4-2b 所示。

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N沟道耗尽型MOSFET 1) N沟道耗尽型MOSFET的结构 N 沟道耗尽型MOSFET 的结构示意图如图4-4a所示。耗尽型MOSFET 的符号如图4-4b 所示。N 沟道耗尽型MOSFET 的结构与增强型MOSFET 结构相似，不同之处在于N 沟道耗尽型MO

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　　在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管（BJT）是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制器件。MOSFET是正温度系数器件，而IGBT

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本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

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　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen

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　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 4 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET®功率MOS

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