电子元件2026-03-12

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电子元件2026-03-09

1、MOS管简介 功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱

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电子元件2026-03-09

汽车芯片问题似乎得到了解决，但事情并未完全结束。 汽车正迅速成为“滚动的计算机”，需要许多微芯片来为各种电子功能提供动力。在向纯电动汽车(BEV) 过渡的过程中，汽车制造商无法在纯粹的性能上实现差异化，

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电子元件2026-03-09

01 绘制精细电路的第一步 金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的革命，让我们可以在相同面积的晶圆上同时制造出更多晶体管。MOSFET体积越小，单个 MOSFET的耗电量就越少，还可以制造出更多的晶体管，让其

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电子元件2026-03-09

半导体行业继续应对各个细分市场的库存过剩问题。 全球半导体设备销售额增速是反应行业景气度的领先指标。行业上行时产能利用率达到高位后生产商有意愿采购设备进行扩产，行业下行时则减少设备采购以缩减资本开

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电子元件2026-03-09

1 2000〜2010年CMOS工艺流程 有两个因素影响CMOS集成电路的速度，即栅延迟和互连延迟。栅延迟是指MOSFET开关的时间;互连延迟由芯片设计、工艺技术，以及互连的导体和电介质材料决定。

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电子元件2026-03-09

适用于DCM、QR的同步整流ic U7710SG 同步整流技术符合高效节能的要求，适应新一代芯片电压的要求，有着非常广阔的应用前景。深圳银联宝科技新推出的同步整流ic U7710SG是一种开关电源的同步整流电路，它集成了N

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电子元件2026-03-09

所谓的键合SOI是使用两片晶圆，一片晶圆通过高电流氢离子注入在硅表面以下形成富氢层，另一片晶圆在硅表面生长二氧化硅层(见下图)。然后，两片晶圆面对面在高温下挤压并键合在一起，键合区域通过二氧化硅隔开。高

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电子元件2026-03-09

PD快充ic U6615能量补给站 一 快充和闪充只有1字之差，两者有什么区别呢？闪充技术它采用了低高压电流的形式，提升了手机的充电速度。而快充技术恰恰相反，采用了高低压的电流，通过提升充电的电压，最终提升手

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电子元件2026-03-09

MOSFET基本概述 MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施

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电子元件2026-03-09

芯片亮点 VDD耐压高：芯片VDD耐压大于40V，高于海外竞品10V以上； 工作频率可调：芯片振荡器工作频率由外围电阻RRT、电容CCT所设定，频率可达500kHz；

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