电子元件2026-03-09

U7712同步整流ic可提高效率更加稳定 同步整流提高了传统降压转换器，以及所有其他能够使用同步整流的拓扑结构的动态性，拥有更加稳定的控制环路特性。U7712同步整流ic就是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管

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电子元件2026-03-09

当代大学生对于PC的需求变得更高了，平时接收老师给的学习资料和作业以及自己处理学业、日常娱乐都离不开它。笔记本电脑、手机、Windows掌机、数码相机，各式各样，但都离不开电源适配器、充电器的支持。友恩充电

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电子元件2026-03-09

高频率高性能CCM同步整流芯片U7612 同步整流芯片U7612是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7612 内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作

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电子元件2026-03-09

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支

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电子元件2026-03-09

12v1a充电器芯片U6773V灵动创芯 iPhone15系列手机下周就要推出与大家见面了。虽然遭到了很多人吐槽没有创新，只是序列号的变化，但只有在实际使用和评估之后，我们才能做出更准确的判断和评价。就像手机充电器芯

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电子元件2026-03-09

NAND闪存工艺 闪存芯片是非挥发存储芯片，广泛用于电子产品，特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GPS)、高端笔记本电脑和平板电脑等移动电子产品的存储应用。与磁性硬盘存储器相比，闪存的数据

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电子元件2026-03-09

目前市场运放种类繁多，面对不同的使用条件和环境，是否都能选择一样的运放呢？没关系，这是很多电子工程师都会困惑的问题，接下来为你揭开运放选型的神秘面纱：

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书接上回。上回我们讲到了在1959年，杰克·基尔比在半导体材料锗上面制作出了世界上第一个集成电路芯片，标志着半导体产业正式拉开了集成电路的时代。

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电子元件2026-03-09

我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体

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电子元件2026-03-09

美格纳半导体公司宣布推出两款基于其第8代沟槽MOSFET技术的新型150V MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格纳极限沟槽中压MOSFET，是美格纳40~200V沟槽MOSFET的尖端产品组合。

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碳化硅(SiC)技术已达到临界点，即不可否认的优势推动技术快速采用的状态。

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场效应晶体管是一种常用的半导体器件，用于控制电流的流动。根据不同的工作原理和结构，场效应晶体管可以分为三种类型：金属氧化物半导体场效应晶体管、结点场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管。

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一、MOSFET简介 MOSFET是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件，其栅极（G极）内阻极高。以N沟道增强型为例，其结构为在一块浓度

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MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）上桥故障是电子电路中常见的问题之一，通常指的是在电机控制系统中，由于上桥臂的MOSFET出现问题，导致电机无法在控制器的指令下正常工作。以下是对MOSFET上桥故障的分析

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作为上海雷卯电子的一名资深工程师，我经常被问及MOSFET器件的参数计算问题。在本文中，我将分享关于MOSFET中几个关键温度参数的计算方法：TJ（结温）、TA（环境温度）和TC（外壳温度）。

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电子元件2026-03-09

Part 01 前言 上一篇文章我们介绍了在进行MOSFET相关的电路设计时，可能会遇到MOSFET误导通的问题，为了解决此问题，我们提出了两种方法，一种是增大MOSFET栅极串联电阻的阻值，另外一种是在MOSFET栅-源极之间

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