电子元件2026-03-09

【夹断区】 器件关断时，源漏不导通，没有反型层。栅极到源极和漏极的电容是相等的，都是等于CovW，栅极到衬底的电容是由氧化层电容和耗尽层电容串联得到。即C GB =(WLC ox )C d /(WLC ox +C d )，源极和漏极到衬底

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电路图基础2026-03-08

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。

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电路图基础2026-03-08

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。

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电子元件2026-03-07

MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？

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电路图基础2026-03-07

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。

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电路图基础2026-03-07

在这个项目中，我们使用555 定时器 IC构建了一个升压转换器电路。升压转换器是一种非隔离型开关模式电源，用于升压。换句话说，与输入电压相比，它提供了更高的输出电压。该电路与我们设计用于控制电机和 LED 灯条

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电路图基础2026-03-07

　　1 引言 　　MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工

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电子元件2026-03-07

随着全球范围内参与到气候计划，减少碳排放以及减少化石能源使用，在生产和生活中使用新能源成为当今的一个共识。在诸多新能源中，光伏新能源具备容易实施，规模大小可控，成本低等诸多优点，而且随着生产技术

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电子元件2026-03-07

超结MOSFET体二极管性能优化 END

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电子元件2026-03-07

Part 01 前言 与三极管等其他的有源器件相比，MOSFET的不同寻常之处在于其原理图符号会包含一个寄生器件——体二极管。那么是不是所有的MOSFET都会有体二极管吗？这个体二极管它有什么作用呢？

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电子元件2026-03-07

Part 01 前言 上一篇文章我们介绍了MOSFET的体二极管，我们知道了MOSFET体二极管在MOSFET中是广泛存在的，并且MOSFET经过了几十年的工艺革新，在目前应用比较广泛的沟道MOSFET中也没能完全解决这个问题，既然

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电子元件2026-03-07

新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性

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电子元件2026-03-07

对于这个问题其实市场上在应用中已经有比较好的答案，目前在H6桥拓扑的单相光伏逆变器中经常会用到FGH60N60SMD的IGBT单管。

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电子元件2026-03-07

Vishay七款新型二极管和 MOSFET 功率模块 灵活的器件采用 PressFit 引脚压合技术

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电路图基础2026-03-07

MOSFET管IR2153应用电路为半桥式电路的驱动控制部分：

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电子元件2026-03-07

快速恢复二极管 模拟工程师们都知道，在使用MOSFET搭建电路时，常常需要搭配使用快速恢复二极管（FRD），因为该二极管的反向恢复时间几乎为零，瞬间内即可使开关截止，能够防止由于关断反应速度过慢带来的上下管

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