电子元件2026-03-09

前言： 双电阻和三电阻的采样方案比较常见了，原理比较简单。随着成本的压力和技术的进步，现在单电阻采样的方式越来越常见。

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光伏逆变器前级往往需要先升压，再进行逆变。低压通过高频升压的主要目的是减小逆变器体积、提高功率密度、减小损耗，提高效率。但高频同样也面临诸多问题，如电磁干扰严重，SPWM驱动信号易受到影响等问题。

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1 单相全桥逆变器的原理 单相逆变器常见的调制方法有：单极性SPWM调制、双极性SPWM调制和单极性等效双极性SPWM调制，对应的调制波形如图1所示。

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混频器(Frequency Mixer)是一种三端口器件，实现由两个频率产生新的频率的技术，又称为变频器(Frequency Conversion)。

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MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培，漏源电压可以达到100V以上，但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点，使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后，VMOSFET的耐压可达到

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我们讲到增强型MOSFET的特点是，N沟道的建立是Ugs的贡献，没有Ugs>Ut，导电沟道就无法建立，D、S就不会有导通电流。这边我们要说的是另一种MOSFET，称为耗尽型MOSFET。

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01.分析的方法 设计晶体管放大器时，要考虑稳定性的问题。如果不稳定，就会可能发生“自激现象”。一般分析的方向有环路分析法，负阻分析法，S参数网络分析法。

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今天我们来说一下三极管！有了三极管，基本大部分电路就都能搭出来了！ 之前说的二极管有两块半导体组成，那三极管是不是有三块半导体组成的呢？

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三极管的基本结构 1 硅管与锗管的区分方法 ①看型号： 9011/9013/9014/9016/9018/8050是硅管NPN型

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今天我们来讨论一个三极管放大电路的问题，起因是在网上看到了一个“压控电流源模型”比“流控电流源模型”更好的说法，其论证依据是这样的：

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EEPROM是“ElectricallyErasable Programmable Read-only”（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据，所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使用特定

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三极管基本概念双极性晶体管的全称为双极性结型晶体管，也就是我们常说的三极管。三极管顾名思义具有三个电极。前面的二极管是由一个P-N结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母

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晶闸管又叫可控硅，是半导体闸流管的简称。晶闸管是一种大功率的PNPN型4层3端元件，可以把交流电变换成电压大小可调的脉动直流电，也可把直流电转换成交流电，还可调节交流电压、做无触点开关等。晶闸管广泛应用于可

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设计要求： 1.本设计基于STC89C51/52（与AT89S51/52、AT89C51/52通用，可任选）单片机

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本项目为设计一个可以报警的智能温度显示系统，该系统由单片机最小系统、oled显示屏电路、复位电路、 功能按键电路等组成。

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三极管，又叫做双极型三极管，是一种电流控制电流型半导体元器件，目前三极管的主要用途是信号放大，或者作为电子开关使用。

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