绝缘栅型场效应管之图解2

绝缘栅型场效应管之图解2

3. 特性曲线（以N沟道增强型为例）

场效应管的转移特性曲线动画

4.其它类型MOS管

（1）N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在VGS=0时，由于正离子的作用，两个N区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。

其它类型MOS管

（2）P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS < 0时管子才能工作。

（3）P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0 时，由于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。

5. 场效应管的主要参数

(1) 开启电压VT ：在VDS为一固定数值时，能产生ID所需要的最小 |VGS | 值。（增强）

(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时，使 ID对应一微小电流时的 |VGS | 值。（耗尽）

(3) 饱和漏极电流IDSS ：在VGS = 0时，管子发生预夹断时的漏极电流。（耗尽）

(4) 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1～1pF，栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1～3pF。

(5) 低频跨导 gm ：表示VGS对iD的控制作用。

　　在转移特性曲线上，gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。

(6) 最大漏极电流 IDM

(7) 最大漏极耗散功率 PDM

(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS