电子元件2026-03-05

6.1.几个基本定律 6.1.1毕奥-萨伐尔定律 图6.1 毕奥萨伐尔定律 电流元Idl在空间某点P处产生的磁感应强度dB的大小与电流元Idl的大小成正比，与电流元Idl所在处到P点的位置矢量和电流元Idl之间的夹角的正弦成正比，而

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随着工艺节点的不断发展（现在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越来越高，规模也越来越大，数字IC设计工程师对芯片的功耗也越来越关心了，特别是移动端的消费类电子产品，对芯片的功耗

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1 推挽变换器及推挽谐振变换器的原理 （1）推挽变换器 推挽变换器拓扑和工作波形如图1所示。电路中的两个开关管Q1、Q2接在带有中心抽头的变压器初级线圈两端，此电路可以等效为两个完全对称的单端正激变换器。D1、D

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电阻损坏的原因可能包括以下几种： 1.电流过大：当电阻所承受的电流超过其额定值时，会导致电阻过热，损坏甚至引起火灾。

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boost升压电路，它通过开关管通关来控制电感储存和释放能量，从而使输出电压比输入电压高。它多用于输出高压低电流的应用场合。

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