电子元件2026-03-09

MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培，漏源电压可以达到100V以上，但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点，使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后，VMOSFET的耐压可达到

阅读全文 >>

电子元件2026-03-09

我们讲到增强型MOSFET的特点是，N沟道的建立是Ugs的贡献，没有Ugs>Ut，导电沟道就无法建立，D、S就不会有导通电流。这边我们要说的是另一种MOSFET，称为耗尽型MOSFET。

阅读全文 >>

电子元件2026-03-07

最近部门功放工程师在调试功放，设计的要求不高，谐波抑制50dBc，一般而言，功放饱和输出谐波差不多也有15左右的抑制。所以谐波滤波器要求40dBc也就够了，这个对于滤波器的设计难度也不大，但是一周多了，功放工程师

阅读全文 >>