绝缘栅型场效应管(MOS管)

绝缘栅型场效应管(MOS管)

1.绝缘栅型场效应营的结构
绝缘栅型场效应管的结构如图16-6 所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从Si02上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管的输入电阻极高，可达1 X 10  12Ω以上，而输入电流几乎为零。

绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样，有N 沟道和P 沟道两种类型，每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图16-6 中(a) 为增强型， (b) 为耗尽型。这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N 区，引出的电极即为源极和漏极。当UGS = 0 时，漏源极已存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管;必须在I UGS l>o 的情况下才能形成导电沟道的，称为增强型场效应管。

另外，从材底基片上还引出一个电极，称为衬底电极B 。在分立元件中，常将B 电极与源、极S 相连。

综上所述，绝缘栅型场效应管有四种不同的类型，即N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P 沟道耗尽型。它们的代表符号如图16-7 所示。

2. 绝缘栅型场效应管的特性曲线
N 沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图16-8 所示，它基本上与N 沟道结型场效应管的特性一致。

N沟道增强型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图16-9 所示。从转移特性曲线上可以看出，当UGS小于开启电压UT时， ID≈0 。只有当UGS等于开启电压UT时，才开始形成导电沟道，此时当UGS进一步增加时，ID也开始增大。

在UGS > UT，管子形成导电向道后，可以得到输出特性曲线。当UDS =0 时， ID =0当UDS为正值增大时， ID将随UDS的增大而增大。当UDS增大到UDS = UGS - UT时，导电沟道被夹断，这时若再增大UDS， ID仍保持恒定而不再增加，即处于饱和区。对应不同的UGS值，沟道的深浅不同，所以夹断后的ID值各不相同，从而形成一组特性曲线。