场效应管放大电路

场效应管放大电路

1.场效应管的小信号模型

　　已知场效应管输出特性表达式：

　　求全微分:

　　其中：

低频跨导可从输出曲线上求出

aaaa　　　a

　漏极与源极间等效电阻

　　　　　　

 

 

　　一般rds很大，可忽略，得简化小信号模型:

 

 

 

2. 共源极放大电路

　　以NMOS增强型场效应管为例

　　三极管与场效应管三种组态对照表：

电路组成

　　比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。

　　图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFETMOSFET的直流通道和交流通道是一样的。

直流分析

　

　直流分析：
　　VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)
　　VGS= VG－VS= VG－IDR
　　ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2
　　VDS= VDD－ID(Rd+R)
　　解出VGS、ID和VDS。

 

 

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　直流通路