电子元件2026-03-16
电子元件2026-03-16
普通晶振和差分晶振有什么区别呢
电子元件2026-03-16
CMOS电路设计问题
电子元件2026-03-12
电子元件2026-03-12
多晶硅内掺杂物的扩散效应
电子元件2026-03-12
离子注入技术在MOSFET单元阵列之间和连接方面的应用
电子元件2026-03-12
芯片设计进阶之路—从CMOS到建立时间和保持时间
电子元件2026-03-12
CMOS模拟集成电路-比较器设计
电子元件2026-03-12
电场激活原位掺杂平面光伏型胶体量子点红外成像芯片
电子元件2026-03-09
摘要:北京理工大学光电学院红外量子点团队联合中芯热成科技(北京)有限责任公司(简称:中芯热成)开发了一种可控的电场激活原位掺杂方法,在光导型胶体量子点红外探测器内构建了横向p-n结,解决了量子点红外焦
CMOS模拟集成电路之反相器链电路的建立和前仿真
电子元件2026-03-09
今天学习的是反相器链电路的建立和前仿真,说的简单点就是反相器的原理图仿真,和用AD画原理图一样,开始是设计库,后面是根据库中的器件画原理图,这些还是比较好上手,后面是仿真的设置以及怎么看结果,这些是之前
谈谈CMOS反相器的静态特性与动态特性
电子元件2026-03-09
直观综述 反相器是所有数字设计的核心。静态CMOS反相器具有以下重要特性: ①输出高电平为V DD ,输出低电平为GND;
CMOS模拟集成电路-比较器设计
电子元件2026-03-09
一.开环比较器 开环比较器基于未补偿的放大器,可以使用单级或者多级结构。根据输入信号的大小,开环放大器工作于小信号状态和大信号状态(摆率限制),其对应的延迟时间计算也是不同。
利用等离子体色散效应来增强硅基电光调制器的性能
电子元件2026-03-09
据麦姆斯咨询报道,近期,英国南安普顿大学(University of Southampton)硅光子学研究小组近期以“Harnessing plasma absorption in silicon metal oxide semiconductor (MOS) ring modulators”为题在知名期刊N
CMOS器件内部不可忽视的闪烁噪声
电子元件2026-03-09
当器件内部,载流子在不连续的材料上移动时,会随机的遭遇到捕获和释放,进而产生闪烁噪声。
N阱CMOS工艺版图
电子元件2026-03-09
1 下图为一个采用N阱CMOS工艺的版图。 (1)从版图中提取逻辑图。 (2)此版图中应用了哪几种类型的设计规则?
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