砷化镓具有更高的电子迁移率和饱和迁移速率，而且还有独特的半绝缘性。除此之外，砷化镓材料还具有耐热、耐辐射及对磁场敏感等特性，使砷化镓材料具有特殊用途和多样性，应用已延伸到硅、锗器件所不能达到的领域。

　　砷化镓芯片主要用于电子器件的制造，如晶体管、集成电路、光电器件、激光器件等。此外，它还可以用于电子元件的封装、电路板的制作、电子设备的维修等。

　　砷化镓芯片和硅芯片区别

　　砷化镓芯片和硅基芯片的最大区别是：硅基芯片是进行物理刻蚀线路工艺（凹刻），可以5-100纳米工艺，而砷化镓芯片采取的工艺是多层化学堆砌线路（凸堆），线路线宽40-100纳米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化镓芯片的。

　　砷化镓芯片和硅芯片的主要区别在于性能和成本。砷化镓芯片具有更高的性能，但成本也更高，而硅芯片的性能较低，但成本也较低。此外，砷化镓芯片的功耗更高，而硅芯片的功耗更低。

　　（1）硅、锗属于间接禁带半导体，导带底和价带顶不在K空间同一点，形成半满能带不仅吸收能量（辐射光子，hv=Ec-Ev），还要改变动量（辐射声子，动量ΔP=约化普朗克常数*k），做电子器件。

　　（2）GaAs为直接禁带半导体，导带能量最小值和价带能量最大值处于k=0处，形成半满能带只需吸收能量（辐射光子），做光学器件。

　　补充：如果半导体内掺入杂质，引入复合中心能级，则辐射光子时会出现三条谱线hv1=Ec-Et，hv2=Et-Ev，hv3=Ec-Ev，发生谱线红移。

　　据悉，硅之所以能当之无愧地成为了现代计算机芯片的基础，不仅仅是因为它是一种半导体材料，更是因为它是一种非常丰富的元素。在地壳上，硅是仅次于氧第二丰富的元素，但是你基本上无法在自然界找到硅单质，因此它常以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。

　　砷化镓芯片的衬底是什么

　　砷化镓衬底主要分为半绝缘GaAs衬底和半导体GaAs衬底，其中前者的晶片中，衬底与形成在顶部的外延晶体管器件绝缘，主要应用于制作射频电路器件。

　　我们看到外延就是在基板上从无到有一层一层长起来的，因此基板衬底的选择和工艺处理十分重要。因为真正的器件有效工作层，厚度可能也就几个微米到几十微米。

　　衬底既是器件的支撑，也是外延层的生长籽晶，它对光电子器件的性能影响很大，选择衬底我们需要有几个基本的要求：

　　1）衬底晶面取向;

　　2）表面腐蚀坑密度;

　　3）杂质类型和密度‘

　　4）衬底厚度和尺寸大小。

　　例如一个硅掺杂的N型砷化镓基板：

　　Si-Dopant GaAs Wafer

　　Diameter ： 100．5±0．5mm（4”）

　　Thinkness ：625±25um（4”）

　　Orientation：（100）tilt10？toward（111）A±0．5？

　　EPD：《1000cm-？

　　Concentration：》1E20CM-？

　　Growthmethod： VGF

　　Flatoption： EJ

　　Major flatlength:30±2mm（4”）

　　Minor flatlength:15±2mm（4”）

　　LaserMark:Back side major flat．

　　GaAS和InP是常用的两种衬底，通常选用（100）面作为外延生长面，有时偏离该晶面±0．1°或者±0．5°，在激光芯片制程中，这样的（011）面是解离面，就可以用作腔面了。

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