LD-GaN技术

MK2789为65W氮化镓快充保驾护航

氮化镓（GaN）作为第三代半导体器件，凭借其优异的性能，在PD快充领域被广泛使用。

传统的GaN开通阈值和栅源工作电压都很低，对驱动电路的干扰非常敏感，在设计驱动电路时需要最小化栅极驱动环路面积、减小寄生电感，避免过冲导致器件误开通或误关断；在大功率系统中，这种干扰更为严重。

为此，经过多年的氮化镓技术沉淀，并收集广大客户的应用痛点，茂睿芯推出了全新一代氮化镓技术LD-GaN，大幅提高氮化镓在中大功率电源系统里的抗干扰能力和可靠性。

此次推出的65W集成氮化镓快充产品包括MK2789/MK2780，便采用了LD-GaN技术，大幅提高65W氮化镓快充的可靠性。此外，采用独有的处于行业领先地位的高压技术，Vcc耐压高达110V，PPS应用无需稳压电路；专利软驱技术，可有效降低同步整流管电压应力；高频QR控制技术，提高效率的同时，能有效减小变压器尺寸。

NO.1

高性能65W PD解决方案: MK2789/MK2780

产品优势：

①高耐压: 110V Vcc 耐压，PPS应用无需外部稳压电路

②高可靠性：全新LD-GaN技术

③低应力：专利软驱技术，实现低应力

④高集成度：集成650V/200mΩ GaN

⑤高频QR：支持高频设计，有效减小变压器体积

为了提高方案的灵活性，同步推出了带External mode PIN的MK2780，方便客户在调试EMI和效率时灵活选用。

（1）满载、半载都在精确的谷底导通，有效提升系统效率:

（2）满载效率超过93%:

（3）DEMO实拍

NO.2

特色ACDC产品系列

针对中大功率的快充电源应用，茂睿芯陆续推出了PFC、LLC、LLC SR、flyback PWM控制器、flyback SR控制器等多种拓扑应用的模拟芯片。系列芯片采用领先的高压工艺，可有效节省产品BOM；先进的驱动技术，可有效降低功率管开关应力，同时提高产品效率。该系列芯片已经被广泛应用于PD快充、大功率适配器、服务器电源、工业电源等多种领域。

编辑：黄飞