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芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器

时间:2023-08-03 09:24来源:未知 作者:admin 点击:
芯佰微最新推出的CBMG711、CBMG712和CBMG713是内置四个独立可选开关的单 芯片 CMOS工艺器件。该工艺提供低功耗,同时提供高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽带宽特性。 产品 设计

芯佰微最新推出的CBMG711、CBMG712和CBMG713是内置四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器件。该工艺提供低功耗,同时提供高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽带宽特性。

产品设计为在单电源1.8V至5.5V下工作,非常适合用于电池供电的仪器,可结合我司DACADC使用。快速开关时间和高带宽特性使这些部件适合视频信号切换应用。CBMG711、CBMG712和CBMG713包含四个独立的单刀单掷(SPST)开关。CBMG711和CBMG712的不同之处仅在于数字控制逻辑被反相。CBMG711开关在控制输入上以逻辑低接通,CBMG712开关在控制输入上以逻辑高接通。CBMG713中的两个开关,其数字控制逻辑与CBMG711相同,而其他两个开关的逻辑与CBMG711相反,详细可参考图1。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。CBMG713表现出先断后合的切换动作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封装。

功能框图

CBMG711/CBMG712/CBMG713功能框图及真值表如下:
芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器
芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器
芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器

图 1. 显示为逻辑输入“1”的开关

表 1. 真值表(CBMG711/CBMG712) 

CBMG711 输入CBMG712 输入开关条件01开10关

表 2. 真值表(CBMG713) 

逻辑开关 1,4开关2,30关开1开关

典型特征

单电源供电范围 :1.8 V to 5.5 V

VDD=5.5V供电下,低导通电阻为2Ω(典型值)

VDD=5.5V供电下,导通电阻平坦度为0.3 Ω(典型值)

−3 dB带宽大于200 MHz

轨到轨工作

TSSOP16和SOP16封装

快速开关时间 : 接通时间tON = 16ns,断开时间tOFF = 10ns

典型功耗< 0.01 μW

TTL/CMOS兼容型

产品应用

手机

视频切换

通信系统

电池供电系统

USB 1.1信号切换电路

机械式舌簧继电器的替代产品

核心特点

电源1.8 V至5.5 V。CBMG711、CBMG712和CBMG713提供高性能,设计保证3V和5V电源下可正常工作。

极低RON(5V时最大4.5Ω,3V时最大8Ω)。在1.8V的电源供电下,RON在全温范围内通常为35Ω。

低导通电阻平坦度0.3Ω。

−3dB带宽>200 MHz。

低功耗。CMOS工艺,确保低功耗。

快速开启( tON)/关闭(tOFF)。

先断后合开关。当开关被配置为多路复用器(仅CBMG713)时,防止信道短路。

产品支持TSSOP16和SOP16封装

典型电气特性图

CBMG711/CBMG712/CBMG713几种主要参数特性图如下:
芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器

图 2.单电源下的导通电阻与VD (VS)的关系(CBMG711) 芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器

图 3.单电源下的导通电阻与VD (VS)的关系(CBMG712)

芯佰微推出四个独立可选开关的单芯片CMOS工艺器

图 4.单电源下的导通电阻与VD (VS)的关系(CBMG713)

编辑:黄飞

(责任编辑:admin)
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