浅析SiC MOS新技术：沟道电阻可降85%
电子元件2026-03-09
我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体
探究BSIM4模型
电子元件2026-03-05
在BSIM3的基础上，UC Berkley的BSIM小组紧接着又推出了BSIM4模型。 BSIM4模型是在BSIM3模型的基础上发展而来的，主要针对深亚微米到纳米的工艺进行了改进和扩展。与BSIM3模型相比，BSIM4模型有以下几个区别：
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