用于改善 EMC 的 PCB 设计的原理介绍(2)
时间:2025-03-10 10:37 来源:[db:来源] 作者:admin 点击:次
· 直接半导体远场发射 · 发射可能以辐射或传导方式发生，后者表现为噪声电压或噪声电流。众所周知，微控制器等半导体设备是 EME 的来源。众所周知，越靠近噪声源，EME 对策越便宜。由于大多数规范的辐射 EME 测量都是针对远场 (r > λ) 定义的，因此本应用笔记将从半导体器件直接发射到远场的观点开始。导线中的任何电流都会引起远场发射。为了了解最大预期半导体发射水平，应计算直线(赫兹偶极子)和具有极端参数的电流回路的最坏情况发射。 · 直导线(赫兹偶极子) · 根据 [1] 在自由空间(周围无导电材料)中，在距离“r”处测得的最大电场“E”由波长为“λ”的电流“i”在 a 中流动引起长度为“l”的导线可以计算如下： [tex]E= frac {Z_{0} 乘以 i hspace {1mm} 乘以 l}{2 hspace {1mm} 乘以 r hspace {1mm} 乘以 lambda}[/tex] (责任编辑：admin) |