增强型场效应管和耗尽型场效应管有什么区别？

　　耗尽层，是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。

　　什么是场效应管的耗尽层

　　场效应管中，随着Ugs的增加，在靠近二氧化硅绝缘体的P型衬底表面 缺少多子，形成了耗尽层。

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

　　增强型场效应管和耗尽型场效应管有什么区别？

　　区别如下：

　　1.工作方式不同。当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型，即耗尽型场效应管。当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型，即增强型场效应管。

　　2.耗尽型场效应管在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通，而且工作是栅源电压只能是正向的；

　　3.增强型场效应管则可以导通，栅源电压可正可负。

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