PN结的单向导电性

PN结的单向导电性

　　P端接电源的正极，N端接电源的负极称之为PN结正偏。此时PN结如同一个开关合上，呈现很小的电阻，称之为导通状态。
　　P端接电源的负极，N端接电源的正极称之为PN结反偏，此时PN结处于截止状态，如同开关打开。结电阻很大，当反向电压加大到一定程度，PN结会发生击穿而损坏。
伏安特性曲线
　　伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：PN伏安特性

　　正向特性：u>0的部分称为正向特性。
　　反向特性：u<0的部分称为反向特性。
　　反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。
　　势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。
　　变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。PN结的势垒电容
　　平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
　　非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。
　　扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。
　　结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。