电路为电容C1充电,直至达到22V齐纳二极管D3的上限(图1与参考文献1)。电阻R1和R5用于限制输入电流。当输入整流电压降至C1电压以下时,Q1开始导通,产生一个几百微秒长的脉冲。IC1的耦合使得Q1方波发生器作出响应。rms工作电压只需要R1和R5。SMD的1206型电阻一般能承受rms为200V的电压。本设计将R1和R5之间的输入电压一分为二,总额定电压为rms值400V。D3用于将桥的电压限制在22V,因此后面所有元件都有较低的额定电压。22V齐纳管可以箝位在30V,因此本设计使用了一只50V、470nF的陶瓷电容。陶瓷电容较电解电容或钽电容有更好的可靠性,尤其是在高温下。如果愿意使用更便宜更小的25V元件,可以将齐纳管的电压改为18V,仍保有不错的安全边际。R4用于限制LED上的峰值电流。对LED电流的主要限制是整流AC输入的斜率。缓慢的斜率使得C1释放储存的能量时,Q1不会产生电流尖峰。

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