碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期，受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动，碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产线，。国内外厂商如Wolfspeed、罗姆、英飞凌、意法半导体、三星和三菱电机等都宣布参与8英寸碳化硅生产的竞争。

Wolfspeed和罗姆早在2015、2016年左右就已经发布了8英寸碳化硅产品。

日本半导体厂商罗姆预计将于2023年开始量产8英寸碳化硅衬底。

德国功率半导体厂商英飞凌计划在2023年开始量产8英寸衬底，2025年量产8英寸碳化硅器件。

2020年，天岳先进启动8英寸碳化硅衬底的研发，此后曾宣布成功研发了8英寸碳化硅衬底，但目前其8英寸产品尚未达到量产程度。

今年5月，天岳先进、天科合达签约英飞凌，供货碳化硅6英寸衬底、合作制备8英寸衬底，6月三安光电与意法半导体结盟升级，斥资32亿美元共建8英寸碳化硅外延。

2022年1月，烁科晶体实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产。

国内天岳先进、天科合达、三安光电等公司已与国际巨头英飞凌和意法半导体达成合作，共同推进8英寸碳化硅衬底的制备和外延生长。然而，虽然已有部分企业成功研发出8英寸碳化硅衬底，但量产尚未达到规模。

根据市场研究机构Yole的预测，2021年至2027年全球碳化硅功率器件市场规模有望保持年均34%的复合增速，从10.9亿美元增长至62.97亿美元。其中，车规级市场是碳化硅的主要应用领域，预计从2021年的6.85亿美元增长至2027年的49.86亿美元。在新能源产业强劲需求的推动下，全球碳化硅产业进入高速发展期，碳化硅衬底供不应求。作为功率元器件中成本占比最大、品质关键的环节，碳化硅衬底也成为国际巨头布局碳化硅产业的重要战略。

碳化硅8英寸和12英寸区别

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体和电力电子领域的材料。在碳化硅晶圆制备过程中，晶圆的直径可以有不同的尺寸，如8英寸和12英寸。

主要区别如下：

直径：8英寸和12英寸分别指的是碳化硅晶圆的直径。8英寸晶圆直径约为200毫米，而12英寸晶圆直径约为300毫米。

面积：由于直径不同，8英寸和12英寸碳化硅晶圆的表面积存在差异。12英寸晶圆的表面积比8英寸晶圆大，因此能提供更多的制造空间，可以容纳更多的芯片或器件。

生产难度和成本：由于尺寸较大，12英寸碳化硅晶圆的生产相对更具挑战性，制备技术和设备要求更高。与之相比，8英寸晶圆的生产难度较小，制备成本也相对较低。

应用范围：8英寸和12英寸碳化硅晶圆在不同的应用领域具有不同的用途。较小尺寸的8英寸晶圆通常用于低功耗和高温应用，例如电力电子和汽车行业。而较大尺寸的12英寸晶圆则更适合用于高功率和高频率应用，如通信设备和射频功放器件。

具体应用情况还受到制造工艺、产品需求和市场趋势的影响。

编辑：黄飞