近年来碳化硅材料应用于电子设备技术有了长足的发展，碳化硅材料比通用硅有更突出的优点，这主要归功于碳化硅材料比通用的材料有更高的电场击穿电压、更快的电荷移动速度和更宽的能带间隙，且碳化硅材料导热能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点，使得在PFC电路（功率因数校正）上的MOSFET开通损耗减少，效率得到进一步的提升。



PFC电路

基本半导体碳化硅功率器件凭借其优良的性能，常用于大功率元器件中，其碳化硅的宽禁带 (3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D06065KS的重复（非重复）峰值反向电压为650V，工作结温范围是-55℃-175℃，完全满足PFC的电路环境。

在大功率PFC电路中，二极管可能需要并联使用以扩大容量，器件的电流均匀分配问题需要考虑，二极管的前向电压和导通电阻的特性是关键。B1D06065KS所特有的正温度系数的特性能保证器件并联时的均流要求。

假设由于某些原因，两个二极管出现电流不均匀的状态，其中一个二极管分配的电流较大，则它的导通电阻、正向压降就相应的增大，阻碍电流的进一步增大，从而促进电流的再一次分配最后达到电流平衡状态。

碳化硅肖特基二极管B1D06065KS提供内绝缘TO-220封装封装，是在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热，该工艺可以简化生产步骤，提高生产质量和整机的长期可靠性，可有效解决产业界痛点的绝缘和导热问题。内绝缘 TO-220 封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致，但其背面散热器不再是二极管的阴极，属于悬浮电位，具有优越的性能和极高的工作效率。 




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