碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

性能方面：

更低的比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高的可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高的工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。

应用方面：

第二代碳化硅MOSFET系列新品主要应用在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、光储一体机、充电桩以及UPS、PFC电源等领域。



碳化硅MOSFET选型 除此，基本半导体在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，能够更好的应用到多样化的行业场景中；




审核编辑：刘清