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2023年SiC衬底市场将持续强劲增长

时间:2023-09-04 11:36来源:未知 作者:admin 点击:
2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。 研究机构 TE CHCET日前预测,尽管全球经济普遍放缓,但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。 根据TECHCET数据显示,2022年,SiC N型衬底市场比2021年增长了

2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。

研究机构TECHCET日前预测,尽管全球经济普遍放缓,但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。

根据TECHCET数据显示,2022年,SiC N型衬底市场比2021年增长了约15%,出货量达到总计88.4万片(等效6英寸),预计该市场将在2023年进一步增长,达到107.2万片晶圆(等效6英寸),比2022年进一步增长约22%,2022-2027年的整体复合年增长率估计约17%。

2023年SiC衬底市场将持续强劲增长

对 SiC 晶圆的高需求是由于硅基功率器件接近其物理极限,特别是对于高速或大功率应用。宽带隙半导体代表了当前替代品中最有前途的,而 SiC 在材料特性和供应链成熟度方面都处于最前沿。此外,电动汽车、充电基础设施、绿色能源生产和更高效的功率器件的需求总体上推动了对 SiC 的更高需求。

虽然 SiC 越来越受欢迎,但该材料的化学特性使其难以将晶锭加工成实际晶圆。这导致SiC晶圆市场供不应求。为了在过去几年增加晶锭供应,大量公司进入或宣布了 SiC 晶锭增长能力的重大扩张,但很少有公司真正进入芯片服务市场。

Wolfspeed、安森美意法半导体等垂直整合的 SiC 器件公司正在弥补这一差距,这些公司能够在内部平衡自己的生产能力。其他公司正试图通过提供流程服务来弥补这一差距,例如 X-trinsic 和 Halo Industries。

面对如此快速成长的需求,积极扩产成为当年头部厂商的关键词之一。

目前在SiC衬底方面,Wolfspeed以60%的市场份额占据绝对主导地位,但随着后来者积极参与竞争,这种格局或许存在变化空间。诸如ST对8英寸晶圆的积极推进,其在2022年底还宣布与SiC晶圆头部公司Soitec合作引进晶圆制造技术;Ⅱ-Ⅵ(已更名Coherent)、罗姆等也在积极扩充产能。器件领域,英飞凌、安森美等头部厂商也在年初即提出大幅度扩产计划。

安森美高层曾公开表示,预计5-10年SiC市场依然将比较紧缺,这也是公司持续扩充产能的动力所在。Wolfspeed也认为,需求显然超过了供应,当前硅基半导体行业处在周期性衰退,SiC则有长期发展前景。

不只是厂商自身的产能扩张,放眼这几年间,SiC产业链环节也在积极向外扩充能力。安森美是其中对SiC尤为重视的厂商之一。2021年末,其收购SiC生产商GTAT后,已经实现从SiC衬底到封装的全产业链能力覆盖。

 国产SiC公司迎来业绩大爆发

根据证券时报数据显示,作为A股IGBT龙头,斯达半导连续两年保持翻倍增长,去年公司实现净利润约8亿元,今年一季度净利润实现约2亿元,同比增长约36%,并且公司持续布局SiC赛道:2020年公司投资约2亿元建设全SiC功率模组产业化项目,投资建设年产8万颗车规级全SiC功率模组生产线和研发测试中心;2022年公司完成定增募资35亿元,用于投资IGBT和SiC芯片项目等。最新进展显示,公司车规级SiC模块开始在海外市场小批量供货,另外,使用公司自主芯片的车规级SiC MOSFET模块预计2023年开始在主电机控制器客户批量供货。

宏微科技业绩也迎来大爆发,今年一季度净利润同比增长1.53倍。据介绍,公司订单饱满, SiC二极管研发成功并实现小批量供货。公司高管在接受机构调研中介绍,2022~2023年公司推出了第一代平面SiC MOS,预计2024~2025年开发出沟槽产品;应用场景来看,SiC MOS产品主要应用于电动汽车,SiC二极管产品应用于光伏领域。

4月20日,扬杰科技公告计划投资10亿元在江苏扬州建设6英寸SiC晶圆产线,规划产能5000片/月,后续拟进一步布局6~8英寸SiC芯片生产线建设。目前扬杰科技已经向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品,SiC MOSFET已取得关键性进展。扬杰科技还通过投资控股湖南楚微半导体,进一步完善了公司在晶圆制造上的核心能力,形成了比较完备的晶圆产品制造能力。根据规划,楚微半导体二期建设规划为新增3万片/月的8英寸硅基芯片生产线项目和5000片/月的6英寸SiC基芯片生产线项目。

此外,东微半导去年净利润接近翻倍达到2.84亿元,今年一季度净利润同比增长近五成。其中,公司在SiC器件首次实现营业收入;燕东微披6英寸SiC SBD(肖特基二极管)产品处于小批量量产,1200V SiC MOSFET首款样品在性能评测中。






审核编辑:刘清

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