IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。

IGBT 的安全可靠与否主要由以下因素决定：

1 IGBT 栅极与发射极之间的电压;

2 IGBT 集电极与发射极之间的电压;

3 流过IGBT 集电极－发射极的电流;

4 IGBT 的结温。

IGBT功率半导体的主要应用领域有哪些？

1 光伏产业

2 电网及家电

3 新能源汽车

4 轨道交通