MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

在高速开关应用中，最重要的参数是器件的寄生电容。其中，CGS 和CGD 这两个电容器对应于器件的实际几何结构，而CDS 电容器就是寄生双极晶体管的基极集电极二极管（体二极管）的电容。

CGS 电容器由栅极电极所产生的源和通道区域的重叠形成。它的值由这两个区域的实际几何结构确定，并在不同工作条件下保持恒定（线性）。

CGD 电容器是两种效应产生的结果。除了耗尽区域的电容之外，一部分是JFET 区域和栅极电极的重叠，是非线性的。
 

MOSFET一般应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域