CMOS电路的最末级，通常是用显现器显现，或者介入继电器控制大电流，或者向远处传送信号等，很少没有不借助晶体管的。

但是，在与这个晶体管接口时的困难不测地多。例如，由于与晶体管的基极连接的电阻过于小，从CMOS引出过大电流；或者电阻过大，使晶体管无法驱动。

下面对各种场所与晶体管的接口作以说明。

（1）发射极接地NPN晶体管→CMOS：图l3.35（a）一（c）示出同～电源下，Vcc》VDD，Vcc

（2）射极跟随器NPN晶体管→CMOS：与（1）的情况相反，在“L”电平常容易混入噪声，存在从“L”向“H”时容易产生延迟的缺陷。图13.36（a）一（c）示出接口例。

（3）发射极接地PNP晶体管→CMOS：如图13. 37（a）所示，在降落时有延迟，在“L”电平要留意噪声。

（4）射极跟随器PNP晶体管→CMOS：其例子示于图13. 37（b）。与（3）的情况相反，上升时产生延迟，“H”电平抗噪声才干弱。

（5）互补电路→CMOS：在（1）～（4）的电路中，当晶体管个CMOS的布线变长时，在“H”或者“L”电平，噪声容易混入，由于布线电容而增大延迟时间。由于这些缺陷，所以对布线的长度有限制。这种情况下，运用图13.38所示的互补电路使阻抗降落，关于改善噪声和延迟时间有效果。

（6） CMOS→NPN晶体管：CM0S的输出端由于负载过重而招致电流缺乏，或者耐压缺乏的场所，需求这种接口。

由于经过CMOS的p沟FET流出的电流（IOH）变成晶体管的基极电流，所以能够驱动它的hfe的电流。进而在驱动大负载的场所，运用达林顿晶体管。

图13. 39示出NPN晶体管驱动电路的例子。

（7） CMOS→PNP晶体管：图13. 40示出电路例。

（8） CMOS→互补电路：将CMOS电路的信号向远方传送的场所，如前所述，为了抗噪声、防止布线电容惹起的延迟，应该采用互补电路。其接口例子示于图13. 41。

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