理解集电极电路路径和基级电路路径
1.小基极电流控制高集电极电流。S1开关闭合时。电流流经R1，二极管LED1到达晶体管的
基极。LED1亮起但非常暗淡。然后晶体管将放大低电流，以使电流流过集电极(C)到发射
极(E)。该集电极电流足够高，以使发光二级管LED 2非常明亮。
2.当S1开关断开时。没有基级电流流动。因此，晶体管将切断集电极电流。两个LED都将熄灭。
NPN晶体管的工作模型和结构
NPN晶体管的内部结构，将其与二极管和可变电阻器进行比较。它可以帮助我们更轻松地理解

基级电流控制可变电阻
基极-发射极接头就像一个二极管。
仅当基极-发射极之间的VBE电压为0.7V(硅管)或更高时，基极电流IB才流动。
微小的基极电流(IB)控制着高集电极电流。
IC = hFE×IB
hFE(或者叫β，是一样的)，被称为共发射极电流放大系数，我们可以理解为是将基极电流的多少倍变成集电极电流的控制系数(因为是比率，所以没有单位)

集电极-发射极(RCE)之间的电阻由基础电流(IB)控制，
截至状态时：IB = 0 ，RCE =无限值。晶体管(关闭)
饱和状态时： RCE =0。晶体管完全(导通)(饱和)运行
补充说明：
必须在基极上连接一个串联电阻。限制IB基极电流并防止损坏晶体管。
当晶体管饱和时，发射极-集电极电压VCE降至0V。
晶体管饱和，集电极电流IC由集电极电路中的电压，电源和外部电阻确定。
与晶体管电流增益无关。因此，饱和晶体管的IC / IB之比小于hFE电流增益。
发射极电流为IE = IC + IB，但IC远大于IB。
达林顿晶体管
如图所示，连接了两个晶体管。

这导致被第一个晶体管放大的电流被第二个晶体管放大。
当前增益等于它们各自的增益相乘：
达林顿晶体管对的电流增益hFE = hFE1×hFE2
(hFE1和hFE2是每个晶体管的增益)。
因此，达林顿晶体管具有很高的电流增益
因为达林顿对对流过我们皮肤的小电流非常敏感。因此，能够用于制造如图所示的触摸开关电路。对于此电路，请使用两个低功耗通用晶体管。当我们触摸它时，LED点亮。100K电阻器用于限制基极电流。

触摸开关电路
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