图5 2015 年全球光电子器件企业排名
在通信光电子器件的基础理论研究方面，中国与国外先进水平相比差距不大。但关键工艺技术的好坏和装备条件平台的薄弱是制约中国通信光电子器件研究开发和可持续发展的“瓶颈”，在相关器件的关键技术方面的突破与掌握能力、器件工艺的研究和创新能力、工艺技术研究的关键装备条件水平等方面与国际先进水平存在一定差距。
虽然中国关于通信光电子材料、芯片与集成技术的基础理论研究和基础工艺在高等院校和一些专门的研究院所开展得较为充分，但同样由于工艺技术和装备条件水平的限制，一些基础理论与工艺的研究与实际应用严重脱节，缺乏足够的针对性和实际指导意义，导致国内前沿研究成果多、而成果转化和推广应用少的矛盾十分突出，中国通信光电子器件的“空芯化”问题非常严重。而且与国外先进水平相比，近年来有差距越来越大的危险趋势。
光通信市场需求高涨也带来了对上游芯片产品的需求。中国市场的光通信芯片主要依赖其他国家供应商。目前，在芯片领域已经有少数中国企业取得了突破，武汉光迅科技股份有限公司和河南仕佳光子科技有限公司能提供商用无源AWG及Splitter芯片；武汉光迅科技股份有限公司、海信集团有限公司、华工正源光子技术有限公司能生产10 Gbit/s 以下速率的有源芯片，但25 Gbit/s有源芯片，包括VCSEL、DFB、EML、PIN、APD，全部依靠进口。华为技术有限公司、中兴通讯股份有限公司等设备厂商及一些领先的光器件企业也在进行芯片研制。中国在芯片领域取得了一定的突破，但是还没有形成规模，以中低端芯片为主。由于在光通信芯片方面主要依赖进口，因此中国光器件企业在市场需求高涨的同时利润空间并不大，芯片成为下游企业竞争力的一个制约因素。中国光通信芯片产业未来发展可能会是来自下游的光器件和系统企业向上游延伸发展，垂直整合，研制芯片。在上游的芯片和下游的系统设备领域均比较集中的情况下，光器件厂商有较强的动力向上游拓展，一些实力较强的光器件厂商将会在上游取得突破。 (责任编辑：admin)