科普一下先进工艺22nm FDSOI和FinFET的基础知识
电子元件2026-03-12
科普一下先进工艺22nm FDSOI和FinFET的基础知识
电子元件2026-03-05
传统工艺的挑战 Leakage/Power consumption issue泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在总功耗中占据主导地位。因此，降低芯片
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