电子元件2026-03-12
电子元件2026-03-12
SiC动态表征和测量方法
电子元件2026-03-12
24V电源的冗余和并联使用
电子元件2026-03-12
平面栅和沟槽栅的MOSFET的导通电阻构成
电子元件2026-03-12
MOSFET场效应晶体管设计基础
电子元件2026-03-12
科普一下先进工艺22nm FDSOI和FinFET的基础知识
电子元件2026-03-12
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电阻选项考虑的指标
电子元件2026-03-09
生活中我们使用的电子产品可谓五花八门,各种各样形状的都有,它们内部使用的电子元器件更是各不相同,看到这些电路板非专业人士一般人都可能不认识它们是什么东西。
一个由RC电路和P沟道场效应管组成的延时关机电路分析
电子元件2026-03-09
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路: R2 和 LED 为用电电路。电路功能如下: 按下按键后,开机,大约2分钟后,自动关机。简单 RC 电路要想理解上面的延时关机电路,需要从下面这个简单的并联
理想运算放大器的“虚短”和“虚断”特性介绍
电子元件2026-03-09
理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性,这两个特性对分析线性运放电路十分有用。为了保证线性运用,运放必须在闭环状态下以负反馈工作(如果没有负反馈,开环放大下的运放成为一个比较器)。因此要判断器件的
TTL逆变器和NAND门实验研究
电子元件2026-03-09
自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来,各种数字逻辑电路技术层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器(非门)和2输入NAND门配置。
滤波器和容抗简介
电子元件2026-03-09
无源滤波器 无源滤波器不包含任何放大元件,仅由电阻器、电容器和电感器(无源元件)组成。这些滤波器不会从外部电池电源获取任何额外的电力。电容器将允许高频信号,电感器允许低频信号。同样,电感器限制高频信号
为什么半边等效电路的电阻和电容会变化呢?
电子元件2026-03-09
我们在分析全差分电路时,因为两侧完全对称,所以我们可以按照半边等效电路来进行分析。
关于驱动器/IC的峰值拉电流和灌电流能力
电子元件2026-03-09
在大功率应用场合,经常用到驱动器(包括隔离驱动器、有时这也称专用驱动IC)。而衡量其驱动能力,说白了就, 能带多大的管子的能力,体现在规格书中的一些参数中。
SiGe和GaAs工艺对比
电子元件2026-03-09
GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件,但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势,尤其是高频应用。
分别说说VMOSFET的VVMOS和VDMOS两种结构
电子元件2026-03-09
MOS器件虽然漏极电流可以达到数安培,漏源电压可以达到100V以上,但是由于漏源电阻大、频率特性差、硅片面积利用率低等缺点,使得MOSFET在功率上有很大的限制。随着VMOS技术移植到MOS功率器件后,VMOSFET的耐压可达到
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