电子元件2026-03-05

在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。下图(b)为AA刻蚀后的横截面;下图(c)为形成STI后的横截面；下图(d)显示了P阱形成后的横截面。STI和P阱形成

阅读全文 >>

电子元件2026-03-05

低压接触器主触头的材质一般为银镍合金或者银氧化锡合金，银含量为百分之九十多，其余为镍或者氧化锡。银具有良好的导电性，有利于保证很低的接触电阻，防止触头过热，而镍或者氧化锡具有良好的耐电弧烧蚀能力

阅读全文 >>

电子元件2026-03-05

CMOS集成电路芯片加工技术的几个主要发展发生在20世纪90年代。从CZ法单晶硅晶棒上切割下来的硅晶圆都含有微量的氧和碳，这些元素来自于坩埚材料。为了消除这些杂质并提高芯片的性能，先进的CMOS集成电路芯片使用了

阅读全文 >>

电子元件2026-03-05

在上一篇文章：铜排的载流量如何确定？中，DIN43671-1975提供了涂漆铜排（Painted）和裸铜排（Bare）的载流量。

阅读全文 >>

电子元件2026-03-05

　　本文准备谈谈CRES-Contact Resistance， 接触电的相关技术。 　　接触电阻的形式可分为三类：点接触、线接触和面接触。接触形式对收缩电阻Ｒｓ的影响主要表现在接触点的数目上。一般情况下，面接触的接触点数

阅读全文 >>