电子元件2026-03-19
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电子元件2026-03-12
电子元件2026-03-09
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
ST 600-650V MDmesh DM9 超结快速恢复功率MOSFET提高效率和稳健性
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新型硅基快速恢复体二极管超结 MOSFET系列为全桥相移ZVS拓扑提供理想的效率和可靠性
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