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[电工基础] 硅基氮化镓什么意思日期：2023-05-23 11:26:47 点击：59 好评：0
1.硅基氮化镓（GaN-on-silicon）LED始终备受世人的关注。在最近十年的初期，当 Bridgelux（普瑞光电）公司宣布该技术可减低 LED 照明的成本时，它一举成为了头条新闻。LED 芯片的制造成...
[电工基础] 什么是TVS二极管，如何选择合适的二极管日期：2023-05-23 11:26:46 点击：37 好评：0
当涉及到持续几毫秒的中压高能脉冲时，选择合适的TVS 二极管至关重要。您是否为系统将面临的典型浪涌事件提供适当的保护？信号线和接口设计有特定的电压范围容差，系统在该范...
[电工基础] 氮化镓半导体设备日期：2023-05-23 11:26:46 点击：39 好评：0
氮化镓极其稳定的化合物，坚硬和高熔点材料，熔点为 1700℃。具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度，且具有低导通损耗、高电流密度...
[电工基础] 在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD 日期：2023-05-23 11:26:43 点击：37 好评：0
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基势垒二极管）。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产，目前正在扩充第二代SIC-SBD产品阵容，并推动在...
[电工基础] 内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC BD9G341A 日期：2023-05-23 11:26:43 点击：47 好评：0
ROHM推出内置耐压高达80V的 MOSFET 的 DC/DC 转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型 DC /DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是最高耐压的机型...
[电工基础] 用热反射测温技术测量GaN HEMT的瞬态温度日期：2023-05-23 11:26:43 点击：46 好评：0
第三代半导体器件 CaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工...
[电工基础] MOSFET的失效机理：什么是SOA（Safety Operation Area）日期：2023-05-23 11:26:40 点击：32 好评：0
MOSFET 的失效机理本文的关键要点・SOA是“S afe ty Opera ti on Area”的缩写，意为“安全工作区”。・需要在SOA范围内使用MOSFET等产品。・有五个SOA的制约要素，不满足其中任何一个要素...
[电工基础] MOSFET的失效机理：什么是雪崩失效日期：2023-05-23 11:26:40 点击：43 好评：0
MOSFET 的失效机理本文的关键要点・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。・MOSFET雪...
[电工基础] MOSFET的失效机理：什么是dV/dt失效日期：2023-05-23 11:26:40 点击：41 好评：0
MOSFET 的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容 Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内...
[电工基础] 二极管的工作原理、结构组成及主要特性日期：2023-05-21 11:26:10 点击：102 好评：0
二极管的工作原理二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两级间加上正向电压时，二极管导...