氮化镓极其稳定的化合物，坚硬和高熔点材料，熔点为 1700℃。具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。

通常用于微波射频、电力电子、光电子三大领域。微波射频包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。 

III族氮化物半导体是继第一代Si、Ge元素半导体和第二代GaAs、InP化合物半导体之后的第三代半导体，通常又被称为宽禁带半导体。其为直接带隙材料，禁带宽度在0.7 eV (InN)至6.2 eV (AlN)之间连续可调，发光波长覆盖了近红外、可见光到深紫外等波段；其还具有发光效率高、热导率大、化学稳定性好等优点，可用于制作半导体激光器。

按晶圆尺寸计算，GaN半导体器件市场的6英寸及以上GaN晶圆部分预计在预测期内将录得更高的复合年增长率。此尺寸范围的晶圆使制造商能够提高生产力并在单个批次中生产大量设备。这反过来又有助于降低制造6英寸晶圆的总成本，使其成为市场上最具成本效益的GaN晶圆之一。这已成为近年来各公司开发基于6英寸及以上GaN晶圆的半导体器件的主要原因之一。