面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是 二极管 、特别是高速型二极管的基本且重要的 参数 ，所以不仅要比较trr的数值，还要理...

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对 二极管 最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别 二极管的正向电压VF无限接近零、对温...

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si 二极管 为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代 产品 的，所以在此汇总一下...

现在说明 线性稳压器 的效率和热计算。如前述，这是使用线性稳压器所必须探讨的事项。 线性稳压器的效率   效率的定义为转换输出功率对所输入功率的比，通常以%显示。这在 开关...

碳化硅（SiC）是比较新的 半导体 材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。 SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、...

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是 二极管 、特别是高速型二极管的基本且重要的 参数 ，所以不仅要比较trr的数值，还要理...

继SiC功率 元器件 的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒 二极管 开始。 SiC 肖特基 势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“...

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开...

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对 二极管 最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。 SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别 二极管的正向电压VF无限接近零、对温...

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si 二极管 为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代 产品 的，所以在此汇总一下...