肖特基 二极管 的结构原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型 半导体 B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半...

自20世纪90年代发展以来，氮化物LED已经进入我们的日常生活，节省能源并实现许多新型应用。氮化物LED因在众多照明领域中的广泛应用而闻名，新兴的微型LED以用于超大型电视或突破性...

众所周知，硅基材料是 半导体 产业的基础。第一代半导体以硅（Si）和锗（Ge）为代表，当前全球绝大多数的半导体器件均以硅为基础材料制造，占据着半导体产业90%以上的市场份额。...

最近在忙着研究微小电压放大功能，想起来好像很久没有写东西了。接触了几个 放大器 都是 TI 的，因为我不是学 电子 的，所以放大器这种东西还是比较陌生的，不过已经从一窍不通...

仪表放大器 是精密增益模块，输入为差分式，输出可以是差分式，也可以是相对于参考端的单端式。这些器件能够放大两个输入 信号 电压之间的差值，同时抑制两个输入端共有的任何...

实际上，共 模电 压的变化会引起输出变化。 运算放大器 共模抑制比(CMRR)是 指共模增益与差模增益的比值。 例如，如果Y V的差分输入电压变化产生1 V的输出变化， X V的共模电压变化同...

1. 氮化镓 晶体管 显然对高速、高性能 MOSFET 器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使 IGBT 器件取代它们在较低速度、650V，非常高 电流...

1.作为第三代 半导体 的核心材料之一，GaN其主要有三个特性——开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻。它在充电器上的优势主要体现在：体积小，重量轻；功率密度大，效率高但...

第一代 半导体 材料以硅和锗等元素半导体材料为代表。其典型应用是 集成电路 ，主要应用于低压、低频、低功率晶体管和探测器中，在未来一段时间，硅半导体材料的主导地位仍将存...

1. 氮化镓 是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的 半导体 ，自1990年起常用在发光 二极管 中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的...