1.作为第三代半导体的核心材料之一，GaN其主要有三个特性——开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻。它在充电器上的优势主要体现在：体积小，重量轻；功率密度大，效率高但不容易发热；手机、笔记本都能充，兼容多个设备。

2.国产氮化镓芯片的崛起，带来改变产业链模式，并让中国在新的功率电子时代成为核心玩家。目前合封氮化镓芯片已经成为多家知名电源芯片厂商重点布局的产品，相信不久的未来，将会有更多极具性价比的氮化镓快充产品进入市场。

3.第三代宽禁带半导体材料氮化镓耐热性好，因具有高电子迁移率，可提高晶体管的开关转换速度，适用于高频率、大功率电路中，氮化镓的高频特性可带来整体功率密度提升，目前氮化镓功率芯片已进入消费电子快充市场。

4.据其统计，由于5G基站、新能源、快充市场发展等原因拉动，去年我国第三代半导体碳化硅、氮化镓电力电子和氮化镓微波射频市场总规模达到113亿元，较2019年增长85%。“然而，不断增长的市场规模并未对国内产业形成有效拉动，国内企业规模仍然较小，在新能源汽车、5G基站等关键市场超过八成的国内市场份额主要被国际大厂占有。”联盟在报告中指出。