1.氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。

2.氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电。

3.氮化镓晶体管的结构是一种耗尽模式(depletion-mode)的高电子移动率晶体管(HEMT)，这意味着在门极和源极之间不加任何电压(VGS=0V)情况下氮化镓晶体管的漏极和元件之间是导通的，即是常开器件。这与传统的常闭型MOSFET或者IGBT功率开关都完全不同，对于工业应用特别是开关电源领域是非常难以使用的。为了应对这一问题，业界通常有两种解决方案，一是采用级联(cascode)结构，二是采用在门极增加P型氮化镓从而形成增强型（常闭）晶体管。

4.氮化镓晶体管在许多应用市场上已经逐渐成为主流；它的可靠性已经得到证明，它的性能优势显而易见，并且它的经济优势也已经实现。如今，很多大型公司都在使用氮化镓晶体管来设计和交付产品。业界已经意识到，现在真正的风险是由于未采用氮化镓而被抛在竞争对手后面的风险，而不再是过早采用新技术所带来的风险。