水性Zn离子电池(AZIBs)因其高安全性,成本效益和相对较高的能量密度(5855 mAh cm-3)而受到极大的关注。然而,Zn枝晶、氢(H2)演化和电镀/剥离过程中的Zn腐蚀等问题导致电池的灾难性故障并阻碍随后的商业化。必须通过操纵Zn成核的热力学来引导Zn正极表面的均匀镀Zn和水平生长。根据Gibbs自由能最小化和经典成核理论,大的过电位以及在减小成核半径的同时增加成核速率和密度,有利于形成热力学稳定且密度均匀的原子核,可有效抑制Zn枝晶的生长。
为了应对这些挑战,来自澳门大学的学者通过引入丝胶蛋白分子作为电解质添加剂来调节Zn成核和析氢的过电位,从而构建了稳定的固体电解质界面(SEI)层。该SEI层增加了镀Zn过程中的成核过电位,导致了更细粒度、致密和均匀的Zn沉积。
同时,SEI层中较低的未占据分子轨道分子具有比H2O更高的还原电位,抑制了氢气的产生,随后抑制了Zn树突和界面副反应。因此,Zn|在1.0 mA cm−2/1.0 mAh cm−2下,采用丝胶蛋白添加剂的Zn对称电池的53 h循环寿命极长,与裸Zn电极相比,具有4446 h的极长循环寿命,并且在Zn|Zn电池测试的1.0 Ah cm-2的高累积镀层容量下,平均库仑效率高达99.29%。
此外,使用Na2V6O16·3H2O负极组装的全电池在5.0 A g−1时可承受2000次循环,容量保持率为81.7%。这项工作为调节Zn成核过程和H2演化过电势提供了新的视角,以实现持久的Zn正极设计。






本文开发了一种巧妙的策略,通过调节Zn成核的热力学和H2演化的过电位,为Zn正极设计化学稳定的SEI层。这种具有较低LUMO能量的丝胶蛋白分子可以在H2O分子之前还原,随后形成化学稳定的SEI层,热力学稳定Zn/电解质界面,使离子通量均质化,并增加Zn2 +扩散的能量垒,有助于增强Zn成核的电位。
因此,可以实现更精细和均匀的Zn沉积,从而实现高度可逆的Zn正极。此外,这种化学稳定的SEI层可以防止Zn正极将电子转移到H2O分子,从而减少界面处的H2演化和副反应。实验结果表明,采用丝胶蛋白修饰电解质的对称电池在1.0 mA cm−2/1.0 mAh cm−2下具有长达4446 h的出色循环寿命。
此外,在1 Ah cm−2的高累积电镀能力下,可以获得99.29%的稳定和高CE。在Na2V6O16·3H2O负极组成的全电池中,即使在5.0 A g−1的高电流密度下也能实现长期循环稳定性。这项工作证明了Zn正极上化学稳定的SEI层的重要性,该层由具有较低LUMO能量的分子对高性能金属基电池的支持。
审核编辑:刘清
使用高压电阻进行设计的 10 个技巧
时间:2026-05-07
数字仪表与模拟仪表:它们有何区别?
时间:2026-05-07
基于半导体的电源模块与分立元件
时间:2026-05-07
一文看懂堆和栈的区别和联系
时间:2026-05-07
pcb板和pcba的区别
时间:2026-05-07
什么是数组?数组有什么用?
时间:2026-05-07
电感器设计流程和见解
时间:2026-05-01
什么是触发器?触发器的作用是什么?
时间:2026-05-01
什么是电源?电源是如何进行分类的?
时间:2026-05-01
电驱动NVH的特点和结构
时间:2026-05-01
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间:2026-03-09
什么是室温超导?半导体时代将走向结束?芯...
时间:2026-03-09
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级!
时间:2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间:2026-03-09
什么是硅片或者晶圆?一文了解半导体硅晶圆
时间:2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间:2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间:2026-03-09
汽车芯片业应汲取的教训
时间:2026-03-09
半导体行业之ICT技术简介
时间:2026-03-09
集成电路的几纳米代表了什么?
时间:2026-03-09