目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表1 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表
| 参数/序号 |
部颁新标准（JB1144-75） |
部颁旧标准（JB1144-71） |
|
KP型右控硅整流元件 |
3CT系列可控硅整流元件 | |
| 1 | 额定通态平均电流（IT（AV）） | 额定正向平均值电流（IF） |
| 2 | 断态重复峰值电压（UDRM） | 正向阻断峰值电压（UPF） |
| 3 | 反向重复峰值电压（URRM） | 反向峰值电压（VPR） |
| 4 | 断态重复平均电流（IDR（AV）） | 正向平均漏电流（I） |
| 5 | 反向重复平均电流（IRR（AV）） | 反向平均漏电电流（IRL） |
| 6 | 通态平均电压（UT（AV）） | 最大正向平均电压降（VF） |
| 7 | 门极触发电流（IGT） | 控制极触发电流（Ig） |
| 8 | 门极触发电压（UGT） | 控制极触发电压（Vg） |
| 9 | 断态电压临界上升率（du/dt） | 极限正向电压上升率(dV/dt） |
| 10 | 维持电流（IH） | 维持电流（IH） |
| 11 | 额定结温（TjM） | 额定工作结温（Tj） |
KP型可控硅的电流电压级别见表2
表2 KP型可控硅电流电压级别
| 额定通态平均 电流IT（AV）（A） |
1，5，10，20，30，50，100，200，300，400，500，600，700，800，100 | ||||||||
| 正反向重复 峰值电压UDRM， URRM（×100）（V） |
1～10，12，14，16，18，20，22，24，26，，28，30 | ||||||||
| 通态平均电压 UT(AV)(V) |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
H |
I |
|
≤0.4 |
0.4～0.5 |
0.5～0.6 |
0.6～0.7 |
0.7～0.8 |
0.8～0.9 |
0.9～1.0 |
1.0～1.1 |
1.1～1,2 | |
示例：
（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
使用高压电阻进行设计的 10 个技巧
时间：2026-05-07
数字仪表与模拟仪表：它们有何区别？
时间：2026-05-07
基于半导体的电源模块与分立元件
时间：2026-05-07
一文看懂堆和栈的区别和联系
时间：2026-05-07
pcb板和pcba的区别
时间：2026-05-07
什么是数组？数组有什么用？
时间：2026-05-07
电感器设计流程和见解
时间：2026-05-01
什么是触发器?触发器的作用是什么?
时间：2026-05-01
什么是电源?电源是如何进行分类的?
时间：2026-05-01
电驱动NVH的特点和结构
时间：2026-05-01
电阻的原理和作用 电阻色环识别图 电路中电...
时间：2026-03-09
什么是室温超导？半导体时代将走向结束？芯...
时间：2026-03-09
NVIDIA CPU+GPU超级芯片大升级！
时间：2026-03-09
半导体光刻工艺 光刻—半导体电路的绘制
时间：2026-03-09
什么是硅片或者晶圆？一文了解半导体硅晶圆
时间：2026-03-09
石英灯电子变压器电路原理
时间：2026-03-06
一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计
时间：2026-03-09
汽车芯片业应汲取的教训
时间：2026-03-09
半导体行业之ICT技术简介
时间：2026-03-09
集成电路的几纳米代表了什么？
时间：2026-03-09