测量晶闸管的直流转折电压V（BO），反向击穿电压V（BR）等

量晶闸管的直流转折电压V（BO），反向击穿电压V（BR）等参数

晶闸管的伏安特性如图1所示。测正向特性时，阳极A接电源正极，阴极K接电源负极，仅有很小的漏电流，由于门极未加触发信号，IGT=0，故晶闸管关断，对应于曲线上OA一段。当正向电压达到并超过直流转折电压V（BO）时，晶闸管被正向击穿，进入负阻区，对应于虚线AB；最后达到低阻区BC，通态电流IT迅速增大，晶闸管导通。IH是维持电流，它表示让晶闸管处于导通状态所需最小电流。

晶闸管的直汉转折电压V（BO）可达几百伏，甚至上千伏。手册中通常仅给出正向断态峰值电压VDRM，一般规定：

VDRM= V（BO）－100V

实际上只需在门极加上合适的触发信号(正向电压或正向脉冲)，即可使晶闸管在低压条件下导通。门极的作用就是降低直流转折电压，使晶闸管容易导通，实现可控整流。

测反向特性时，阴极K接电源正极，阳极A接电源负极。此时晶闸管不导通，只有很小的反向漏电流，对应于高阻区OD。当反向电压达到并超过反向击穿电压V（BR）时晶闸管反向击穿，反向漏电流迅速增大。手册中给出反向断态峰值电压VRRM，它与V（BR）的关系为

VRRM= V（BR）－100V

式中，VRRM、V（BR）均取绝对值，下同。 因此，只要测出V（BO）、V（BR）之值，就进一步求出VDRM和VRRM。一般情况下，正、反向断态峰值电压在数值上基本相等。

测量V（BO）、V（BR）的电路如图2所示，需使用万用表和兆欧表各一块。所选兆欧表的额定电压应为1000～2500V，直流电压表和量程也应在1000～2500V。

实例：测量一只3CT20/500型晶闸管，其正向断态峰值电压VDRM=500V。采用ZC25-4型1000V兆欧表。MF30型万用表只有500VDC档，串联一只100MW、1W的金属膜电阻后，量程扩展为2500VDC。若按500VDC档刻度读数，就需要扩大五倍，才是实际电压值。

按（a）图接好电路，以120r/min摇兆欧表，使晶闸管正向击穿，这时万用表读数为150V，故

V（BO）=150×5=750V

VDRM=750－100=650V

再按(b)图电路使晶闸管反向击穿，万用表读数为140V，故

V（BO）=140×5=700V

VDRM=700－100=600V

由此可见，VDRM与VRRM比较接近。现在VDRM =650V，高于手册规定值，说明该项指标留有余量。