双向可控硅的工作原理 双向可控硅的产品分类

双向可控硅的工作原理

1.双向可控硅的伏安特性

双向可控硅的伏安特性曲线，将此图与单向可控硅特性曲线比较，可看出双向可控硅的特性曲线与单向可控硅类似，只是双向可控硅正负电压均能导通，所以第三象限曲线与第一象限曲线类似，故双向可控硅可视为两个单向可控硅反相并联，双向可控硅的A、一A的击穿电压也不同，即可看出正负半周的电压皆可以使双向可控硅导通。一般使双向可控硅截止的方法与单向可控硅相同，即设法降低两阳极间的电流到保持电流以下，双向可控硅即截止。

双向可控硅的伏安特性曲线图

2.双向可控硅的触发

双向可控硅的触发与单向可控硅相似，可用直流信号，交流相位信号与脉冲信号来触发，所不同的是UA-Az为负电压时，仍可触发双向可控硅。

3.双向可控硅的相位控制

双向可控硅的相位控制与单向可控硅很类似，但因双向可控硅能双向导通，在正负半周均能触发，可作为全波功率控制之用。因此双向可控硅除具有单向可控硅的优点，更方便交流功率控制。右图(a)为双向可控硅相位控制电路à电子技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在交流电的正、负半周，从规定时刻(通常为零值)，开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角αz晶闸管导通期间所对应的电角度叫导通角0。在右图(a)中，适当调整触发电路的RC时间常数即可改变它的控制角。右图(b)(c)分别是控制角为30°和导通：角150°时的UAi-z及负载的电压波形。一般双向可控硅所能控制的负载远比单向可控硅小，大体上而言约在600 V，40A以下。

双向可控硅相位控制电路

双向可控硅的产品分类

可控硅有多种分类方法。

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。