Nanusens宣布成功创建嵌入纳米传感器的ASIC

现在，传感器结构及其控制电路都可以作为IP模块，同时采用所需的CMOS工艺节点，可以创建具有多个嵌入式传感器的ASIC。

据麦姆斯咨询报道，近日，Nanusens宣布已成功创建全数字电路设计来测量其纳米传感器的感测电容。这意味着可以在任何需要的工艺节点上使用标准CMOS工艺同时在芯片内制造传感器结构及其检测电路。因此，现在可以在ASIC中嵌入多个不同的纳米传感器。这种将传感器解决方案集成为IP模块的突破性技术大大降低了成本和尺寸，因为其完全取代了当前的分立传感器封装解决方案。

“这是公司的一个重要里程碑！”Nanusens首席执行官（CEO）Josep Montanyà博士表示，“首先是我们成功地在CMOS层内制造了我们独特的纳米传感器结构。这解决了传统MEMS传感器必须在生产能力有限的定制生产线上制造的问题，而我们可以在CMOS代工厂中制造几乎无限数量的传感器。

这些传感器采用LGA、QFN、WLCSP等标准封装，但与所有其他MEMS传感器一样，也需要电路来检测传感器结构的纳米位移所产生的微小电容变化。我们的突破是创建全数字检测电路，这可以按照工艺节点缩小ASIC芯片，以用于传感器结构的电容感测，并匹配形成完整的传感器解决方案。”

Montanyà博士继续说：“能够同时缩小传感器结构及其控制电路，使我们能够利用使用较小的CMOS几何形状的所有好处，例如降低成本。更重要的是，与模拟检测电路相比，我们全数字检测电路的功耗降低了10倍以上。这对于其它MEMS传感器解决方案来说是不可能的，因为其结构和模拟电路很难缩小。”

与传统模拟跨导/电荷放大器电路或类似电路中的300微秒甚至几毫秒相比，全数字检测电路提供了非常快速（3微秒）的电路开/关切换。这对于需要极低采样频率的应用非常有利，例如运动检测应用，其中的运动传感器通常用于唤醒设备的其余部分。如果设备大部分时间处于睡眠模式，则电池寿命在很大程度上取决于运动传感器的电流消耗。全新的数字检测电路超快开/关使得Nanusens基于180nm工艺的测试芯片上的电流消耗为亚微安，远低于市场上最先进的技术，并将便携式/可穿戴设备的电池寿命延长一倍以上。

“这是传感器行业的一场革命。”Montanyà博士补充道，“与PCB或多芯片解决方案的分立封装不同，所有需要的传感器都可以像IP模块一样集成到ASIC之中。这将大大减少许多集成多种传感器设备的物料清单（BOM）、尺寸和功率的要求，尤其是智能手机、耳机和智能手表等便携式设备。我们已经在与想要许可该IP的公司进行交流讨论。”

Nanusens目前正在Crowdcube上募资，希望将这项技术移植到一系列较小的工艺节点上，以满足客户的需求。

审核编辑：刘清