场效应管特点驱动电压幅值很高，在线性区要5V～7V，是BJT管的8～10倍，并且VMOS场效应管输入阻抗很低，是个纯容抗，电容达3000pf左右，所以必须把驱动信号转变为极低输出阻抗(不大于600Ω)的电压源，换句话说，较高电压的电势源才可以驱动VMOS功率管。这是主要的，其它的不少电路都要改变设计计算，不一一说了。

单纯的改没有意义，场管和三极管的内部电容不一样，一个是电流驱动，一个是电压驱动，对于三极管需要大的推动管电流来驱动也许10ma-30ma左右，以便推动功率管正常工作，而对于场管就不要那么大的电流了，然后是电压放大和输入级的不同，场管更追求电压和末级电流来使工作状态达到最佳，而三极管的则不要那么大偏置电流。另外偏置部分也需要改造，一般三极管的上位电阻低，场管需要10-20k的上位电阻，再一个补偿的不同，还有稳定性的B G电阻不同，三极管几欧到50欧，场管100欧到1k,因此同一个电路适应两种功率管是不太可能的，必须调整各个部件的值负荷工作状态。最影响功率输出的放大倍数，最佳区域场管和三极管也不同，需要变，没有只是满足偏压那么简单。