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高速开关特性：MOSFET的结构和工作原理使其具有很高的开关速度，可达数十兆赫兹至数百兆赫兹。 可控性强：MOSFET的栅极电压可以控制器件的输出电流，控制器件的阈值电压即可控制MOSFET的导通与否。 低噪声：由于MOSFET的输入阻抗高，内部无PN结，因此噪声系数比BJT要低很多，适合于低噪声电路的设计。 耐电压高：MOSFET的耐压一般在几十伏至数百伏以上，可以满足大多数应用的要求。 体积小、重量轻：MOSFET是一种半导体器件，与其他电子器件相比，它的体积较小、重量较轻，便于集成和应用。 可靠性高：MOSFET不容易出现饱和现象，故温度系数低，性能稳定，且寿命长。 低功耗：MOSFET的开关电路功耗低，因此在高频率、低功率应用中被广泛应用。 与集成电路兼容性好：MOSFET可以与其他半导体器件集成在一起，形成高集成度的电路，适合于微电子器件和集成电路的应用。 高频特性优秀：由于MOSFET内部没有PN结，不存在载流子的复合与移动导致的存储效应，因此具有很好的高频响应特性。 体效应：MOSFET的电流主要是通过扩散层和反型沟道区的掺杂浓度决定的，可以通过控制栅极电压调节掺杂浓度，从而达到控制电流的目的。这种调节电流的方式称为“体效应”。 电压控制电流：MOSFET的输出电流可以通过控制栅极电压实现，而BJT的输出电流是由输入电流控制的，因此MOSFET更适合用于电压控制电流的场合。 容易集成：MOSFET的工艺步骤比较简单，容易与其他器件集成在一起，可以实现更加复杂的功能。 (责任编辑：admin) |